特許

J-GLOBAL ID：200903066977021142

薄膜太陽電池およびその製造方法

発明者： 野元 克彦 ,  梶原 慶 ,  三宮 仁 ,  山本 義宏
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-252604
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116080
出願日： 1994年10月19日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 素子の拡散電位を増大させることによって解放電圧を向上させ、素子の光電変換効率を向上させた太陽電池およびその製造方法を提案する。【構成】 アモルファス太陽電池のp層に、結合水素量が13at%以上で、かつ微結晶相の体積率が65%から92%の範囲であるp型の微結晶相を含むシリコン薄膜(p型μc-Si:H)を用いる。また、このような特性をもつp型μc-Si:Hは、プラズマ化学気相成長装置を用いて、基板温度を150°Cから60°Cの範囲に制御することにより製造する。

請求項（抜粋）：

水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)系薄膜(水素化アモルファスシリコンカーボン(a-SiC:H)、水素化アモルファスシリコンゲルマニウム(a-SiGe:H)を含む)からなるp層、i層、n層のpin接合を少なくとも一対有する薄膜太陽電池において、前記p層に結合水素量が13at%以上で、かつバルク構造(膜厚が100nm以上での膜構造)での微結晶相の体積率が65%から92%の範囲であるp型の微結晶相を含むシリコン薄膜(p型μc-Si:H)を用いることを特徴とする薄膜太陽電池。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205