発光ダイオード及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296513
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153991
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】発光ダイオードの発光効率を改善すること。【構成】n型GaAs基体1の(100)面にエピタキシャル成長したn型GaAs層2表面に凹凸を設け、その上にP型GaAsエピタキシャル層3aを液相エピタキシャル法により連続成長させる。屈折率の格子により、内部での光の反射、回折が起こり、外部に出やすくなる。

請求項（抜粋）：