半導体素子用バンプ

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-036413
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226404
出願日： 1994年02月09日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】半導体素子を基板に接続した際、熱影響による半導体素子と基板の膨脹あるいは収縮差によってバンプに生じる歪を吸収でき、疲労破壊が起きにくい半導体素子用バンプを提供する。【構成】ウェハー上の半導体素子の電極パッド上に、パッド部面積より小さいポリマーよりなるバンプの芯が設けられ、このバンプの芯に導電性膜が被覆され、導電性膜の下端が電極パッド上に付着されてなる半導体素子用バンプ。

請求項（抜粋）：

ウェハー上の半導体素子の電極パッド上に、パッド部面積より小さいポリマーよりなるバンプの芯が設けられ、このバンプの芯に導電性膜が被覆され、導電性膜の下端が電極パッド上に付着されてなる半導体素子用バンプ。

FI (2件)：

H01L 21/92 F , H01L 21/92 C

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