特許

J-GLOBAL ID：200903066991367612

薄膜トランジスタを有する多層半導体集積回路

発明者： 山崎 舜平 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-164303
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335482
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 容易に形成できる多層集積回路を提供する。【構成】 各集積回路層のゲイト配線をアルミニウムを主成分とする禁足材料によって構成し、半導体層をレーザーもしくはそれと同等な強光によって活性化することによって低温にて集積回路を形成する。また、ポリイミドのような有機材料を用いて、各集積回路層の分離をおこなうことによって、平坦性を向上せしめ、歩留りの向上を図る。

請求項（抜粋）：

半導体もしくは絶縁体基板上に形成された薄膜トランジスタを有する第1の層と、前記第1の層上に層間絶縁物を介して形成された薄膜トランジスタを有する第2の層とを有する半導体集積回路において、前記第2の層の薄膜トランジスタの半導体層はレーザー光もしくはそれと同等な強光の照射によって活性化され、かつ、前記第2の層の薄膜トランジスタのゲイト電極は、酸化アルミニウムに被覆されたアルミニウムを主成分とする金属からなることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4件)：

H01L 27/00 301 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 311 C ,  H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-237520
  
• 特開昭58-023479
  
• 特開平4-120738
  
• 特開昭60-124974