特許

J-GLOBAL ID：200903066993006455

MOSトレンチを有するショットキー障壁整流装置

発明者： メーロトラ,マノーヤ ,  バリガ,バンドヴァル,ジャヤント
出願人/特許権者： ノース カロライナ ステート ユニバーシティ
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-504063
公開番号（公開出願番号）：特表平8-512430
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】トレンチMOSショットキー障壁整流装置は、第一および第二の面、第二の面にある第一導電型のカソード領域、および第二面に延伸しかつ該カソード領域上にある第一導電型のドリフト領域を有する。第一および第二のトレンチは、第二面でドリフト領域内に形成され、第一導電型のメサを限定する。このメサは矩形状あるいは円形状あるいはストライプ状のものである。絶縁領域は、メサに隣接して、トレンチの側壁部上に形成され、該絶縁領域上および第2の面でメサ上にアノード電極が形成される。アノード電極はメサとともにショットキー整流接合を形成する。メサにおける逆方向バイアス漏れ電流の大きさおよび逆方向破壊に対する感受性は、整流接合に形成されるポテンシャルバリヤのみならず絶縁領域に沿って延伸するアノード電極の部分とメサとの間のポテンシャル差によって限定される。さらに、メサの幅を適切に定めることによって、対応する平行平面P-N接合整流装置の逆方向ブロッキング電圧よりも大きい逆方向ブロッキング電圧が達成できる。

請求項（抜粋）：

第一および第二の面、前記第一の面に隣接した第一導電型カソード領域、および前記カソード領域上の第一導電型ドリフト領域を有する半導体基板と; 前記カソード領域に接したカソード電極と; 前記第二の面にあり、かつ前記ドリフト領域内に第一の側壁部を有し、また前記第一の側壁部と前記第二の側壁部とのあいだにメサが設けられ、かつ該メサが所定のメサ幅と所定のメサドーピング濃度とを有するものである第一のトレンチと; 前記第二の面にあり、かつ前記ドリフト領域内に第二の側壁部を有する第二のトレンチと; 前記第一の側壁部上の第一の絶縁領域および前記第二の側壁部上の第二の絶縁領域と; 前記第二の面と前記第一および第二の絶縁領域との上にあり、また前記第二の面上で前記メサとともにショットキー整流接合を形成するアノード電極と; を有し、さらに、 前記所定のメサドーピング濃度は1×1016ドーパント/立方センチメートルよりも大きいことを特徴とする整流装置。