特許

J-GLOBAL ID：200903066993727861

薄膜形成装置

発明者： 星野 茂樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-172217
公開番号（公開出願番号）：特開平5-311429
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1993年11月22日
要約：

【要約】【目的】 基板上の反応生成物の活性化を高めることにより比較的低温で良質な薄膜を形成する。【構成】 レーザ光をターゲット7に集光させてスパッタ粒子を真空槽内の基板上に生じさせると共に、ECRマイクロ波イオン源で発生するイオンとラジカルを基板上に照射し、かつ基板まわりに局部プラズマを発生させる。

請求項（抜粋）：

レーザをターゲットに集光・照射して生じるスパッタ粒子により、真空槽内の基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記基板は、ガス雰囲気中で電極と結合して局部プラズマを発生すべく保持され、前記基板の薄膜形成面と相対向する真空槽内には該基板上にイオンとラジカルを照射する電子サイクロトロン共鳴マイクロ波イオン源を配置することを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (7件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/50