特許

J-GLOBAL ID：200903066995355112

散乱ステンシル型レチクルの修正方法及びその修正構造

発明者： 清水 澄人
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-031025
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232046
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 電子線散乱能が高く、電子線を比較的吸収しないレチクルを得ることができる散乱ステンシル型レチクルの修正方法を提供する。【解決手段】 シリコンあるいはカーボンを主成分とした膜に、金属原子、非金属原子、シリコンを除く半導体原子、又は非金属Vb族原子を適当量分散させるか、シリコン、カーボン、復はそれらの混合物で構成された選択的成膜物の上面あるいは下面に金属原子、非金属原子、シリコンを除く半導体原子、又は非金属Vb族原子を含有する物質を配置する。これにより、膜密度が低くてもその電子散乱能を向上させることが可能である。

請求項（抜粋）：

電子線散乱体で構成されたパターン転写部を有し、被転写基板に縮小投影転写像を転写する際に使用されるレチクル作製の際に発生した欠陥を修正する方法であって、前記欠陥部に、シリコン又はカーボンを主成分とし、金属原子、非金属原子、シリコンを除く半導体原子、及び非金属系Vb族原子のうち少なくとも1つの原子を含有する物質を含む材料で構成された膜を形成することを特徴とする散乱ステンシル型レチクルの修正方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (2件)：

H01L 21/30 541 S ,  G03F 1/16 B

Fターム (6件)：

2H095BA08 ,  2H095BD04 ,  2H095BD36 ,  5F056AA06 ,  5F056EA04 ,  5F056FA05