特許
J-GLOBAL ID：200903066995693328
受光素子およびその製造方法ならびに当該受光素子を用いた光モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-028812
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241588
出願日： 2003年02月05日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：
【課題】光吸収層で光を吸収することにより生じる再発光を抑制する、高性能な半導体受光素子およびその受光素子の製造方法ならびにその受光素子を用いた光モジュールを提供する。【解決手段】半導体基板101と光吸収層103と、受光部120を構成するpn接合109を有する受光層105とを備え、半導体基板101より上層に光吸収層103が配置され、光吸収層103より上層に受光層105が配置されていて、光吸収層103は、受光層105よりも吸収端波長が短く、光吸収層103は、非発光再結合中心となる元素を含んでいる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と光吸収層と、受光部を構成するpn接合を有する受光層とを備え、
前記半導体基板より上層に前記光吸収層が配置され、
前記光吸収層より上層に前記受光層が配置されていて、
前記光吸収層は、前記受光層よりも吸収端波長が短く、
前記光吸収層は、非発光再結合中心となる元素を含んでいる、ことを特徴とする受光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F049MA03
, 5F049MB07
, 5F049MB11
, 5F049NA04
, 5F049NB01
, 5F049PA11
, 5F049QA06
, 5F049QA17
, 5F049RA10
, 5F049SE05
, 5F049SS04
, 5F049SZ20
, 5F049WA01
