多孔質半導体の作成方法及び多孔質半導体基板

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-091972
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267270
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】多結晶半導体を用いて多孔質半導体を作成する方法を提供する。【構成】多結晶シリコンをフッ化水素酸と硝酸と酢酸から構成されるエッチング液に浸漬してエッチングを行う。エッチングは、多結晶シリコンの粒界(grain boundary)に沿って奥へ進むため、エッチング時間を適宜選定することにより、基板上に多数の結晶柱がわずかな間隔をおいて立ち並んだ状態の多孔質シリコンが形成される。エッチングに先立って、酸化処理を施すようにしても良い。

請求項（抜粋）：