特許
J-GLOBAL ID：200903067004438216
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-294988
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151749
出願日： 1992年11月04日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 キャパシタ絶縁膜の寿命を向上することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 キャパシタ下部電極11を構成する立壁部分11bの先端部分を実質的に丸型形状にするとともにその側面部分の表面粗さを200Å以下にする。
請求項（抜粋）：
主表面を有し、前記主表面に第1導電型の不純物領域を有する第2導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面上に形成され、前記不純物領域にまで達する開口部を有する絶縁層と、前記不純物領域の表面上および前記絶縁層の表面上に接して形成された第1の部分と、前記第1の部分の最外周に沿うとともに前記半導体基板の主表面に対してほぼ鉛直方向に延びて形成された第2の部分とを有するキャパシタ下部電極と、前記キャパシタ下部電極の表面上を覆うキャパシタ絶縁層と、前記キャパシタ絶縁層の表面上を覆うキャパシタ上部電極とを備え、前記キャパシタ下部電極の第2の部分は、その先端部分が実質的に丸型形状を有しているとともに、その側面の表面粗さが200Å以下である、半導体装置。
IPC (2件)：
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