特許

J-GLOBAL ID：200903067007327776

トンネリング磁気抵抗効果素子およびその製造方法

発明者： 山崎 篤志 ,  沢崎 立雄 ,  田ノ上 修二
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 穂上 照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-173695
公開番号（公開出願番号）：特開2000-011333
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】トンネリング磁気抵抗効果素子において、安定して高い磁気抵抗効果を実現させ、高MR比の素子を製造する方法を提供する。【解決手段】(1)基板側より順に第一の強磁性体層、絶縁体層および第二の強磁性体層の積層体、またはこれにさらに反強磁性体層が付加された積層体の、絶縁体層接合部のトンネル効果を利用する磁気抵抗効果素子において、第一の強磁性体層の絶縁体層が接合される面の表面粗さRaの値が、2.5Å以下である素子、または積層体を形成させる基板面にアモルファス非磁性金属を存在させた上記の素子。(2)第一の強磁性体層の絶縁体層を形成させる面の粗さを、Raにて2.5Å以下とする上記素子の製造方法。または、基板上にアモルファス非磁性金属を形成させた後、第一の強磁性体層を形成させるか、第一の強磁性体層をスパッタ法にて基板上に形成させる上記素子の製造方法。(3)上記素子を読み出し部とする磁気ヘッド。

請求項（抜粋）：

基板側より順に、第一の強磁性体層、絶縁体層、および第二の強磁性体層の積層体からなる絶縁体層接合部のトンネル効果を利用する磁気抵抗効果素子であって、第一の強磁性体層の絶縁体層が接合される面の表面粗さRaの値が、2.5Å以下であることを特徴とするトンネリング磁気抵抗効果素子。

Fターム (4件)：

5D034BA03 ,  5D034BA19 ,  5D034BA21 ,  5D034DA07