特許
J-GLOBAL ID：200903067015545200
SiC質焼結体とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡邉 一平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-354033
公開番号（公開出願番号）：特開平5-339059
出願日： 1992年12月15日
公開日（公表日）： 1993年12月21日
要約：
【要約】【構成】 成形体を焼成したシリコンカーバイド焼結体において、焼結体は50〜99.5重量部のシリコンカーバイドと、50〜0.5重量部の珪素とを含有し、成形体を構成する炭素のLc(002)が1000オングストローム以下であるシリコンカーバイド焼結体。このシリコンカーバイド焼結体は、Lc(002)が1000オングストローム以下である炭素からなる炭素質材料を99重量%以上含有する成形体に対し、非酸化雰囲気中、減圧又は真空下、1400°C〜2500°Cで珪素を溶融し、浸透させ、焼成することで得られる。【効果】 薄肉品で気孔率が小さく、耐熱衝撃性、耐酸化性に優れたSiC質焼結体を得ることができる。また、焼結体に残存する炭素が少なくなり、形状精度も向上する。
請求項（抜粋）：
炭素質材料からなる成形体に対し、珪素を溶融し、浸透させ、焼成したシリコンカーバイド焼結体において、上記成形体を構成する炭素の002面に垂直方向の結晶子の大きさであるLc(002)が1000オングストローム以下であることを特徴とするシリコンカーバイド焼結体。
引用特許：
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