特許
J-GLOBAL ID：200903067015848300
半導体装置の実装方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 幹夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-251791
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104298
出願日： 1992年09月22日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 ヒートシンクを介して半導体装置を回路基板に実装する際、半導体装置とヒートシンクの接合工程、ヒートシンクと回路基板の接合工程の2段階に分けずに一度の工程で半田接合し工程削減する。【構成】 ヒートシンク1上の半導体装置実装箇所7の周囲に酸化領域6を形成した後、半田3bを介してヒートシンク1に半導体装置2を、半田3aを介してヒートシンク1を回路基板5にそれぞれ配置し、加熱により半田接合する。【効果】 ヒートシンク1上の酸化領域6により、接合工程での加熱時、半導体装置2の実装位置ズレが防げるため、半導体装置2とヒートシンク1と回路基板5を一度に半田接合できる。
請求項（抜粋）：
半導体装置をヒートシンクを介して回路基板に実装する方法において、前記ヒートシンク上における半導体装置実装箇所の周囲に酸化領域を形成し、該ヒートシンク上に半田を介して半導体装置を配置すると共に、回路基板上に前記ヒートシンクを半田を介して配置し、その後、加熱して半導体装置をヒートシンクに、ヒートシンクを回路基板に、それぞれ接合したことを特徴とした半導体装置の実装方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 J
, H01L 23/12 F
