特許

J-GLOBAL ID：200903067016037411

近接効果補正方法及びそれを用いた半導体素子製造方法

発明者： 中筋 護
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-126659
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323372
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 光露光と荷電粒子ビーム露光のミックス・アンド・マッチ露光に適し、近接効果を高精度で補正できる近接効果補正方法を提供する。【解決手段】 デバイスの同一層内に、光露光で形成するパターン1、5と荷電粒子ビーム露光で形成するパターン3、4、13が存在する。バックグラウンドドーズ6に相当する補正ドーズ14を与えて後方散乱粒子線量を被露光面内で均一化する。

請求項（抜粋）：

リソグラフィ手法で形成するデバイスの同一層内において光露光と荷電粒子ビーム露光の双方を用いてパターン形成する際に近接効果を補正する方法であって;光露光により形成したパターンと荷電粒子ビーム露光により形成したパターンに及ぼす荷電粒子線の後方散乱粒子線の近接効果を同一の方法で補正することを特徴とする近接効果補正方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  H01J 37/153 ,  H01J 37/305

FI (6件)：

H01L 21/30 541 M ,  H01J 37/153 Z ,  H01J 37/305 B ,  H01L 21/30 514 A ,  H01L 21/30 514 C ,  H01L 21/30 541 S

Fターム (16件)：

5C033JJ07 ,  5C034BB05 ,  5C034BB07 ,  5C034BB10 ,  5F046AA09 ,  5F046AA25 ,  5F046CB17 ,  5F046DA02 ,  5F056AA22 ,  5F056AA31 ,  5F056CB03 ,  5F056CC12 ,  5F056CC13 ,  5F056CD13 ,  5F056DA02 ,  5F056FA08