特許

J-GLOBAL ID：200903067016039970

スペーサを利用した半導体装置のトレンチの形成方法

発明者： 朴 文漢
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-223026
公開番号（公開出願番号）：特開平9-120989
出願日： 1996年08月05日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】 スペーサを利用したトレンチの形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板40上にパッド酸化膜42及び第1マスク層44を順次に積層する段階、前記第1マスク層44及びパッド酸化膜42を部分的に蝕刻して半導体基板40の非活性領域を露出させる段階、結果物上に第2マスク層を形成する段階及び前記第2マスク層及び半導体基板40に対して同時に異方性蝕刻を行うことによりエッジがラウンドされたトレンチ50を形成する段階を含むことを特徴とする。従って、簡単な工程でエッジがラウンドされたトレンチ50を形成しうる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にパッド酸化膜及び第1マスク層を順次に積層する段階と、前記第1マスク層及びパッド酸化膜を蝕刻して半導体基板の非活性領域を露出させる段階と、結果物上に第2マスク層を形成する段階と、前記第2マスク層及び半導体基板に対して異方性蝕刻を行うことによりエッジがラウンドされたトレンチを形成する段階を含むことを特徴とする半導体装置のトレンチの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/76 N ,  H01L 21/302 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-271619
  
• 特開平2-174140
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-022977   出願人：日本電気株式会社