特許
J-GLOBAL ID：200903067021011099
陽イオン交換膜表面の溝加工方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-089282
公開番号（公開出願番号）：特開平6-279600
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：
【要約】【目的】表面にガス及び液透過性の電極活性を有しない多孔質層を有する陽イオン交換膜の多孔質層の表面に所定物性を有する多数の溝を設ける。【構成】糸の太さ5〜200デニール、糸密度20〜200本/インチを有する布を、陽イオン交換膜の多孔質層の表面に、布厚の5〜70%埋め込んだ後に引き剥す。
請求項（抜粋）：
表面に電極活性のないガス及び液透過性の多孔質層を有する陽イオン交換膜の多孔質層表面における溝加工方法であって、糸の太さ5〜200デニール、糸密度20〜200本/インチを有する織布を、その厚みの5〜70%の範囲で埋込んだ後、引き剥すことを特徴とする陽イオン交換膜表面の溝加工方法。
IPC (3件)：
C08J 5/22 101
, B01J 47/12
, B29C 59/00
