特許
J-GLOBAL ID：200903067023814881

光受信回路

発明者：
板橋 俊一

板橋 俊一 について


出願人/特許権者：
宮城日本電気株式会社

宮城日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-001645
公開番号（公開出願番号）：特開2000-201031
出願日： 1999年01月07日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【課題】 3元APDの増倍率を最適値に設定する。【解決手段】 温度検出回路8は3元APD1の温度を検出する。ROM9は、3元APD1の逆バイアス電圧と増倍率との関係を各温度ごとに記憶している。逆バイアス印加回路7は、逆バイアス制御回路6で決定された逆バイアス電圧を3元APD1に印加する。逆バイアス制御回路6は、温度検出回路8で検出された3元APD1の温度に対応する逆バイアス電圧と増倍率との関係をROM9から読み出し、この関係と3元APD1の受光電力とピーク検出回路5で検出された振幅ピーク値に基づいて、3元APD1の逆バイアス電圧を決定する。
請求項（抜粋）：
3元APDを受光素子とする光受信回路において、3元APDの光電流を電圧信号に変換する前置増幅回路と、前置増幅回路の出力信号を増幅するAGC増幅回路と、前置増幅回路の出力信号の高周波成分を取り出すハイパスフィルタと、この高周波成分の振幅ピーク値を検出するピーク検出回路と、3元APDの温度を検出する温度検出回路と、3元APDの逆バイアス電圧と増倍率との関係を各温度ごとに記憶したメモリと、温度検出回路で検出された3元APDの温度に対応する逆バイアス電圧と増倍率との関係をメモリから読み出し、この関係と3元APDの受光電力とピーク検出回路で検出された振幅ピーク値に基づいて、3元APDの逆バイアス電圧を決定する逆バイアス制御回路と、逆バイアス制御回路で決定された逆バイアス電圧を3元APDに印加する逆バイアス印加回路とを有することを特徴とする光受信回路。
IPC (8件)：
H03F 3/08 ,  H01L 31/10 ,  H01L 31/107 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/26 ,  H04B 10/14 ,  H04B 10/04 ,  H04B 10/06
FI (4件)：
H03F 3/08 ,  H01L 31/10 G ,  H01L 31/10 B ,  H04B 9/00 Y
Fターム (27件)：
5F049MA07 ,  5F049MB07 ,  5F049NA07 ,  5F049UA06 ,  5F049UA11 ,  5F049UA17 ,  5F049UA18 ,  5F049WA01 ,  5J092AA03 ,  5J092AA56 ,  5J092CA02 ,  5J092CA81 ,  5J092FA10 ,  5J092FA17 ,  5J092HA44 ,  5J092KA46 ,  5J092SA01 ,  5J092TA01 ,  5J092TA02 ,  5J092UL03 ,  5J092VL07 ,  5J092VM07 ,  5J092VM18 ,  5K002AA03 ,  5K002BA15 ,  5K002CA11 ,  5K002CA18
引用特許：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM