特許
J-GLOBAL ID：200903067025664445
半導体基板及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-314060
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151864
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 IGBT用半導体基板の各層の不純物濃度を精密に制御するとともに基板の反りを生じさせない。【構成】 低濃度の不純物を含むn-単結晶シリコン基板11上にそれより高濃度の不純物を含むn+バッファ層12を形成し、n+バッファ層12上にそれよりさらに高濃度で原子半径がシリコンよりも小さいホウ素等の不純物を含むp+層13を形成し、さらに不純物を全く含まないか又はp+層13よりも十分低濃度の不純物を含むp-層14を形成する。その後、n-単結晶シリコン基板11の裏面を所定の厚さまで研削及び/又は研磨加工する。n+バッファ層12は拡散法又は気相成長法により形成し、p+層及びp-層は気相成長法により形成する。
請求項（抜粋）：
低濃度の不純物を含む第1導電型の単結晶シリコン基板と、該単結晶シリコン基板の一主表面上に形成され、前記単結晶シリコン基板の不純物濃度よりも高濃度の不純物を含む第1導電型の第1シリコン層と、該第1シリコン層上に形成され、前記第1シリコン層の不純物濃度よりも高濃度で原子半径がシリコンよりも小さい不純物を含む第2導電型の第2シリコン層と、該第2シリコン層上に形成され、不純物を全く含まないか又は前記第2シリコン層の不純物濃度よりも十分に低濃度の不純物を含む第2導電型の第3シリコン層とを有することを特徴とする半導体基板。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/336
H01L 29/78 321 J
, H01L 29/78 321 Y
