特許

J-GLOBAL ID：200903067026263002

磁気抵抗効果素子

発明者： 恒川 孝二 ,  ダビッド ジャヤプラウィラ
出願人/特許権者： キヤノンアネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-279559
公開番号（公開出願番号）：特開2007-095750
出願日： 2005年09月27日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】 高いMR比を維持したまま磁歪定数ゼロ付近で磁歪定数が急峻に変化することがなく、所望の磁歪定数を安定して得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 この磁気抵抗効果素子10は、固定強磁性層と自由強磁性層とこれらの強磁性層によって挟まれたバリア層を有する磁気抵抗効果素子であり、自由強磁性層に、ホウ素Bの添加量(b:原子%)が21%≦b≦23%であるCoFeBを用いるように構成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

固定強磁性層と自由強磁性層とこれらの強磁性層によって挟まれたバリア層を有する磁気抵抗効果素子であって、前記自由強磁性層に、ホウ素Bの添加量(b:原子%)が21%≦b≦23%であるCoFeBを用いることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (8件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/10 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/09

FI (8件)：

H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  G01R33/06 R

Fターム (12件)：

2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA39