特許
J-GLOBAL ID：200903067026736776
ランプアニール装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249667
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104198
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】ランプアニール装置において、チャンバに供給された室温状態の反応気体によって、加熱されたウェーハが冷却され、熱処理量がウェーハ面内で不均一になることを防止し、ばらつきのない製品の電気的特性を得る。【構成】熱処理に使用する反応気体をチャンバ5に転送する前に、ヒータ8と温度制御装置11とヒータ用熱電対10により設定された温度に維持された気体加熱室9を通過させ、所定の温度又はその近傍まで加熱する。したがって、チャンバ5内で加熱されているウェーハ4に反応気体が到達しても反応気体によってウェーハ4が冷却されることがないので、ウェーハ4面内の温度分布を均一にし、熱処理量を均一に出来る。
請求項（抜粋）：
ウェーハを加熱処理するチャンバと、該チャンバ内で前記ウェーハを支持するウェーハ支持治具と、前記チャンバを加熱する加熱用ランプと、前記チャンバに反応気体を供給する反応気体供給装置と、該反応気体供給装置と前記チャンバを接続する配管接続治具とを有するランプアニール装置において、前記反応ガス供給装置と前記チャンバとの間に前記反応ガスを加熱する反応気体加熱機構を備えたことを特徴とするランプアニール装置。
引用特許：
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