半導体発光素子およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-370157
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179618
出願日： 2004年12月21日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】金属薄膜の密着性とオーミックコンタクトを達成する際のアニール処理においても、透明導電膜の導電性が低下しないように工夫した半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 n型およびp型の半導体層1,2の接合界面を発光部とし、この発光部から透明導電膜3を介して発光する半導体発光素子において、透明導電膜3は、半導体層2上に積層されると共に、少なくとも半導体層2に最接近する領域にガリウムを含有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型およびp型の半導体層の接合界面を発光部とし、該発光部から透明導電膜を介して発光する半導体発光素子であって、前記透明導電膜は、前記半導体層上に積層されると共に、少なくとも前記半導体層に最接近する領域にガリウムを含有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C

Fターム (11件)：

5F041AA03 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F041CA72 , 5F041CA84 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA98

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3207773号公報

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