特許

J-GLOBAL ID：200903067030947463

半導体記憶装置

発明者： 志波 和佳
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-173845
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037244
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 演算データ等及びプログラム等の格納に供される2種のメモリを搭載するシングルチップマイクロコンピュータ等のチップ面積を縮小し、その高集積化及び低コスト化を推進する。【構成】 演算データ等及びプログラム等の格納に供される2種のメモリを搭載するシングルチップマイクロコンピュータ等において、前者のメモリを、ソース領域Sに延長されたゲート突起の先端下部にトンネル領域TNZを有しかつ消去時におけるリーク電流が比較的小さないわゆる単一電源型メモリセルが格子状に配置されてなる第1のメモリアレイを基本に構成し、後者のメモリを、通常の浮遊ゲート型セルからなり情報の書き換えに際して消去電圧の外部供給を必要とするいわゆる二電源型メモリセルが格子状に配置されてなる第2のメモリアレイを基本に構成するとともに、第1及び第2のメモリアレイによって共通のメモリモジュールを構成し、直接周辺回路を共有する。

請求項（抜粋）：

ソース領域に延長されたゲート突起の先端側にソース及び浮遊ゲート間のトンネル領域を有する第1のメモリセルが格子状に配置されてなる第1のメモリアレイを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/06 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 309 Z ,  H01L 27/10 434