半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-051447
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358061
出願日： 2001年02月27日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】エッチング時の寸法シフト量粗密差(スペース幅が比較的広い疎な領域上における寸法シフト量とスペース幅が比較的狭い密な領域上における寸法シフト量との差)を小さく抑えることが可能な半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】配線パターン形成用のレジストパターン4aに対しイオン7の注入を行う。ここでは、イオン種としてアルゴンを用い、50keVで1×1016/cm2でイオン注入を行う。このイオン注入によって、レジストパターン4aの膜厚はイオン注入前の445nmの75%程度の334nm程度に収縮するとともに、レジストパターン4aの組成変化がなされることにより、シリコン窒化膜3及びポリシリコン層2用のエッチング処理に対するエッチング耐性が向上する。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板上にエッチング対象物を形成するステップと、(b)前記エッチング対象物上に第1のレジストを形成するステップと、(c)前記第1のレジストをパターニングして第1のレジストパターンを得るステップと、(d)前記第1のレジストパターンに対してイオン注入を行うステップとを備え、前記ステップ(d)のイオン注入によって、前記第1のレジストパターンの膜厚が収縮し、(e)前記ステップ(c)及び(d)実行後の前記第1のレジストパターンをマスクとして、前記エッチング対象物に対して所定のエッチング処理を実行して、加工パターンを得るステップをさらに備え、前記ステップ(d)実行後の第1のレジストパターンの膜厚は、前記加工パターンにおける密なパターン部分と疎なパターン部分との間に生じる、前記加工パターンの前記第1のレジストパターンに対する寸法ズレ量の差が所定の基準以下で、かつ前記所定のエッチング処理に支障を来さない条件を満足する膜厚に設定される、半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/027 , G03F 7/11 503 , G03F 7/22 , G03F 7/26 501 , G03F 7/26 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/3065 , H01L 21/3213 , H01L 21/768

FI (10件)：

G03F 7/11 503 , G03F 7/22 H , G03F 7/26 501 , G03F 7/26 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 570 , H01L 21/30 574 , H01L 21/302 J , H01L 21/88 C , H01L 21/90 P

Fターム (69件)：

2H025AA00 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025DA11 , 2H025DA34 , 2H025DA40 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA29 , 2H025FA30 , 2H025FA39 , 2H025FA41 , 2H096AA00 , 2H096AA25 , 2H096BA09 , 2H096CA05 , 2H096CA06 , 2H096EA02 , 2H096EA05 , 2H096GA08 , 2H096HA01 , 2H096HA03 , 2H096HA23 , 2H096HA30 , 2H096JA04 , 2H096KA02 , 2H096KA07 , 2H096LA16 , 5F004AA01 , 5F004BA04 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004EA03 , 5F004EA06 , 5F004EB02 , 5F004FA02 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH19 , 5F033LL07 , 5F033PP15 , 5F033QQ02 , 5F033QQ04 , 5F033QQ13 , 5F033QQ26 , 5F033QQ28 , 5F033QQ29 , 5F033QQ30 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033SS15 , 5F033VV06 , 5F033VV16 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX33 , 5F046AA28 , 5F046PA07

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