特許

J-GLOBAL ID：200903067032725646

半導体素子の樹脂封止成形方法

発明者： 長田 道男
出願人/特許権者： 長田 道男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-125306
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045379
出願日： 1986年10月08日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 溶融樹脂材料中にキャビティ110・120 内部の残溜エアーが巻き込まれて樹脂成形体にボイドが形成されるのを防止すると共に、溶融樹脂材料が半導体素子と外部リードとを結ぶ細いワイヤ152 を変形・断線するのを防止する。【構成】 ゲート口121aを通して注入される溶融樹脂材料の注入スピードを、該溶融樹脂材料がゲート口121a付近に完全に充填される範囲及び時間とワイヤ152 付近に充填される範囲及び時間とにおいては比較的に遅くなるように注入し、逆に、これらの範囲以外となる範囲及び時間においては通常の注入スピード(前者と較べて早いスピード)で注入すると云った多段注入法を行う。

請求項（抜粋）：

(1)固定側或は可動側のいずれか一方側の型部に複数個のポットを配設すると共に、該各ポットの周辺所定位置に所要数のキャビティを配設し且つ該各ポットとその周辺所定位置のキャビティとを均等長さの樹脂通路を介して連通させ、更に、該各ポットに樹脂加圧用のプランジャーを夫々嵌合させて構成したマルチポット・プランジャー型式の樹脂封止用金型を用いて、上記各ポット内に供給した樹脂材料を加熱且つ加圧して溶融化し、該溶融樹脂材料を上記樹脂通路を通して各ポットからその周辺所定位置のキャビティ内に夫々注入充填させることにより、該キャビティ内にセットした半導体素子を夫々樹脂封止成形する半導体素子の樹脂封止成形方法であって、上記各キャビティ内に加圧注入される溶融樹脂材料の注入スピードを、上記キャビティと樹脂通路との連通口となるゲート口付近に注入充填される範囲及び時間において、注入された溶融樹脂材料が該ゲート口付近の残溜エアーを巻き込むエアー巻込作用を防止する遅い注入スピードとなるように設定すると共に、上記各キャビティ内の半導体素子付近に注入充填される範囲及び時間において、注入された溶融樹脂材料が該半導体素子に損傷を与えない遅い注入スピードとなるように設定し、更に、上記ゲート口付近に注入充填される範囲及び時間と半導体素子付近に注入充填される範囲及び時間以外となる範囲及び時間においては、通常の注入スピードとなるように設定することを特徴とする半導体素子の樹脂封止成形方法。