特許
J-GLOBAL ID：200903067034277411
高抵抗埋込層の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-327739
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177487
出願日： 1992年12月08日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 光通信あるいは光情報処理の分野で利用される半導体光源、光変調器、光検出器、光非線形素子などの素子を高性能化するために適応される高抵抗埋込層の製造方法を提供する。【構成】 半導体ウエハ上にシリコン酸化膜或いはシリコン窒化膜でエッチングマスクを形成する工程と、化学湿式エッチング或いはプラズマ乾式エッチングまたはその二つを組み合わせたエッチングによって半導体ウエハをメサ状に削る工程と、高抵抗半導体層で該半導体メサを埋め込む工程と、化学湿式エッチングによって該半導体ウエハのシリコン酸化膜或いはシリコン窒化膜上の多結晶高抵抗半導体をリフトオフする工程からなる高抵抗層埋込方法において、該高抵抗層埋込層としてのアンドープInAlAs23を600°C以下の成長温度で形成し、ハイメサ構造のメサ端での盛り上りを防ぎ平坦な埋込層とする。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ上にシリコン酸化膜或いはシリコン窒化膜でエッチングマスクを形成する工程と、化学湿式エッチング或いはプラズマ乾式エッチングまたはその二つを組み合わせたエッチングによって半導体ウエハをメサ状に削る工程と、高抵抗半導体層で該半導体メサを埋め込む工程と、化学湿式エッチングによって該半導体ウエハのシリコン酸化膜或いはシリコン窒化膜上の多結晶高抵抗半導体をリフトオフする工程からなる高抵抗層埋込方法において、該高抵抗層埋込をアンドープのInAlAsを分子線エピタキシ法により600°C以下の成長温度で形成して上記高抵抗層を埋込むことを特徴とする高抵抗埋込層の製造方法。
IPC (2件)：
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