特許

J-GLOBAL ID：200903067034862195

基板処理装置および方法

発明者： 池端 弘一 ,  尾藤 陽二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286237
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100606
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板などを紫外光処理する際に生成する炭素系物質の処理室内部での固着を低減し、長期にわたって安定した処理特性と良好な製品歩留りを実現できるようにする。【解決手段】 基板処理装置を構成するに際し、紫外線照射ランプ5を処理室4から区分する石英ガラス板2の表面に、紫外光照射処理に伴ってレジストパターン11から発生した炭素系物質の光分解を触媒する紫外光透過性の光触媒層16を形成する。

請求項（抜粋）：

処理容器内のステージに設置された基板を不活性ガスあるいは反応性ガスの流通下、同一処理容器内の紫外光光源により紫外光照射処理する基板処理装置において、前記紫外光光源をステージ設置領域から区分する紫外光透過性の仕切部材が配置され、前記仕切部材の少なくともステージ対向面に、紫外光照射処理に伴って発生する炭素系物質の光分解を触媒する紫外光透過性の光触媒層が形成されたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 562

Fターム (14件)：

5F004AA15 ,  5F004BB05 ,  5F004BB14 ,  5F004BB26 ,  5F004BB29 ,  5F004BC07 ,  5F004BD01 ,  5F004CA04 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB26 ,  5F004EA27 ,  5F046AA28