特許

J-GLOBAL ID：200903067037702350

ドライエッチング方法及びその装置

発明者： 屋良 卓也 ,  湯浅 基和 ,  本間 孝治
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社 ,  株式会社ケミトロニクス
代理人 (1件)： 河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-346861
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151478
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造工程におけるエッチング工程において、大気圧条件下で処理でき、大面積ウェーハや基板に対応でき、簡便な装置でドライエッチングをする方法及びその装置の提供。【解決手段】 半導体素子の製造におけるエッチング法において、大気圧近傍の圧力下、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを基材に接触させ、かつ、該プラズマと基材との接触部近傍から処理済みガスを排気することを特徴とするドライエッチング方法及び装置。

請求項（抜粋）：

半導体素子の製造におけるエッチング法において、大気圧近傍の圧力下、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを基材に接触させ、かつ、該プラズマと基材との接触部近傍から処理済みガスを排気することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/24

FI (2件)：

H05H 1/24 ,  H01L 21/302 B

Fターム (19件)：

5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB24 ,  5F004BC06 ,  5F004BC08 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA07 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA29 ,  5F004DB01 ,  5F004DB20 ,  5F004DB22