薄膜太陽電池用基板

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大川宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-273809
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106449
出願日： 1998年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】熱膨張率がシリコンに近似し、基板表面が滑らかで、不純物となる成分が半導体へ漏れ出さない、薄膜シリコン太陽電池用基板を提供する。【解決手段】薄膜太陽電池用基板は、シリコンと平均熱膨張率の近似したセラミックス基材と、基材表面に一体的に形成された酸化物ガラスと、からなり、酸化物ガラスは、ガラス成分全体を100wt%としたときSiO2、B2O3、P2O5の合計が95wt%以上であり、これらの3成分の相図において(SiO2:B2O3:P2O5)=(85:0:15)、(66.5:0:33.5)、(25:75:0)、(62.5:37.5:0)、(25.0:25.0:50.0)の範囲内に含まれる組成のガラスであることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコンと平均熱膨張率の近似したセラミックス基材と、該基材表面に一体的に形成された酸化物ガラスと、からなり、該酸化物ガラスは、そのガラス成分全体を100wt%としたときSiO2、B2O3、P2O5の合計が95wt%以上であり、これらの3成分の相図において(SiO2:B2O3:P2O5)=(85:0:15)、(66.5:0:33.5)、(25:75:0)、(62.5:37.5:0)、(25.0:25.0:50.0)の範囲内に含まれる組成のガラスであることを特徴とする薄膜太陽電池用基板。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , C03C 3/062

FI (2件)：

H01L 31/04 M , C03C 3/062

Fターム (86件)：

4G062AA08 , 4G062AA09 , 4G062AA15 , 4G062BB01 , 4G062BB05 , 4G062DA04 , 4G062DA05 , 4G062DA06 , 4G062DA07 , 4G062DB01 , 4G062DC01 , 4G062DC02 , 4G062DC03 , 4G062DC04 , 4G062DC05 , 4G062DC06 , 4G062DC07 , 4G062DD01 , 4G062DD02 , 4G062DD03 , 4G062DD04 , 4G062DD05 , 4G062DE01 , 4G062DF01 , 4G062EA01 , 4G062EA10 , 4G062EB01 , 4G062EC01 , 4G062ED01 , 4G062EE01 , 4G062EF01 , 4G062EG01 , 4G062FA01 , 4G062FA10 , 4G062FB01 , 4G062FC01 , 4G062FD01 , 4G062FE01 , 4G062FF01 , 4G062FG01 , 4G062FH01 , 4G062FJ01 , 4G062FK01 , 4G062FL01 , 4G062GA01 , 4G062GA10 , 4G062GB01 , 4G062GC01 , 4G062GD01 , 4G062GE01 , 4G062HH01 , 4G062HH03 , 4G062HH05 , 4G062HH07 , 4G062HH09 , 4G062HH11 , 4G062HH13 , 4G062HH15 , 4G062HH17 , 4G062HH20 , 4G062JJ01 , 4G062JJ03 , 4G062JJ05 , 4G062JJ07 , 4G062JJ10 , 4G062KK01 , 4G062KK03 , 4G062KK05 , 4G062KK07 , 4G062KK10 , 4G062MM07 , 4G062MM23 , 4G062NN30 , 4G062NN34 , 4G062PP13 , 5F051AA01 , 5F051BA14 , 5F051CA15 , 5F051CB14 , 5F051CB15 , 5F051CB19 , 5F051CB20 , 5F051FA06 , 5F051GA03 , 5F051GA13 , 5F051GA20

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