特許

J-GLOBAL ID：200903067038681730

半導体装置作製用SiC単結晶基板とその製造方法

発明者： 加納 浩之 ,  夫馬 弘雄 ,  村田 年生 ,  三浦 篤志
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-357053
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188163
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 広い成長条件下において良質なSiC単結晶エピタキシャル成長層を有する半導体装置作製用SiC単結晶基板の製造を目的とする。【構成】 SiC単結晶基体と該基体表面上に形成されたSiCのエピタキシャル成長層とから構成され、該エピタキシャル成長層の表面粗さはZ0.005μm以下であるSiC単結晶基板。SiC単結晶インゴットからSiC単結晶板を製作する工程において、インゴットから基板状に加工し、鏡面仕上げをおこなう研磨工程と、研磨された表面をイオンエッチングする反応性イオンエッチング工程と、前記イオンエッチング工程で形成された表面にSiCのエピタキシャル成長層を形成するエピタキシャル成長層形成工程とからなる半導体装置作製用SiC単結晶基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

SiC単結晶基体と該基体表面上に形成されたSiCのエピタキシャル成長層とから構成され、該エピタキシャル成長層の表面粗さはZ0.005μm以下であるSiC単結晶基板。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/205