特許

J-GLOBAL ID：200903067039261432

半導体装置の製造方法

発明者： 後藤 康正 ,  石塚 芳樹 ,  川久 慶人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-243831
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093091
出願日： 1996年09月13日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 低温プロセスで効率よく形成するしきい値電圧の絶対値の低下防止と低濃度領域活性化の活性化促進を同時に満足できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 同一基板上に形成されたn型及びp型の不純物注入領域に高エネルギービームを照射して不純物を活性化するにあたり、不純物注入領域中の水素濃度比を0.5から2の範囲にする半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

同一基板上に形成された水素、n型及びp型の不純物注入領域に高エネルギービームを照射して前記不純物注入領域中の不純物を活性化するにあたり、前記n型およびp型の不純物注入領域中の水素濃度比を0.5から2の範囲にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 29/78 616 L ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 627 E