特許
J-GLOBAL ID:200903067043451874

フェライト磁石およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 萼 経夫 ,  中村 壽夫 ,  宮崎 嘉夫 ,  小野塚 薫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-286965
公開番号(公開出願番号):特開2005-057083
出願日: 2003年08月05日
公開日(公表日): 2005年03月03日
要約:
【課題】化学量論組成よりもFe2O3過剰の組成領域でも優れた磁石特性を有する、安価なフェライト磁石を提供する。【解決手段】式(A1-xRx)O・n[(Fe3+1-yMg2+y)2O3]で表されるマグネトプランバイト型結晶構造の主相がモル比で80%以上を占め、この式において、AはBaおよびSrから選択される少なくとも一種であってBaを必ず含み、Rは希土類元素から選択される少なくとも一種であり、x、yおよびnはモル比を表し、それぞれが、0<x≦0.6、0<y≦0.05、6.0<n≦6.6の範囲にある構成とし、焼結時、前記主相がモル比で80%以上生成されるように還元性雰囲気を制御する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
式(A1-xRx)O・n[(Fe3+1-yMg2+y)2O3]で表されるマグネトプランバイト型結晶構造の主相がモル比で80%以上を占め、この式において、AはBaおよびSrから選択される少なくとも一種であってBaを必ず含み、Rは希土類元素から選択される少なくとも一種であり、x、yおよびnはモル比を表し、それぞれが、0<x≦0.6、0<y≦0.05、6.0<n≦6.6の範囲にあることを特徴とするフェライト磁石。
IPC (5件):
H01F1/11 ,  C01G49/00 ,  C04B35/26 ,  C04B35/40 ,  H01F41/02
FI (6件):
H01F1/11 B ,  C01G49/00 C ,  C01G49/00 D ,  C04B35/40 ,  H01F41/02 G ,  C04B35/26 F
Fターム (30件):
4G002AA06 ,  4G002AA08 ,  4G002AA09 ,  4G002AA12 ,  4G002AB01 ,  4G002AE04 ,  4G018AA02 ,  4G018AA07 ,  4G018AA08 ,  4G018AA09 ,  4G018AA10 ,  4G018AA11 ,  4G018AA13 ,  4G018AA20 ,  4G018AA28 ,  4G018AA31 ,  4G018AB03 ,  4G018AB04 ,  4G018AC02 ,  4G018AC15 ,  5E040AB04 ,  5E040CA01 ,  5E040HB05 ,  5E040HB15 ,  5E040NN02 ,  5E040NN06 ,  5E040NN18 ,  5E062CD01 ,  5E062CG02 ,  5E062CG03
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)

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