特許

J-GLOBAL ID：200903067048267273

多孔質炭化ケイ素焼結体およびその製造方法

発明者： 元山 剛
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-075252
公開番号（公開出願番号）：特開平10-265277
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体プロセスに使用される治具を構成することができる高純度でかつ高い精度で加工された多孔質炭化ケイ素焼結体を提供する。【解決手段】 炭化ケイ素粉末を焼結してなる多孔質炭化ケイ素焼結体に、高純度のパラフィンろう、水等を含浸させた後、固化させる。固化されたパラフィンろう、または固化された水すなわち氷によって開気孔が塞がれた多孔質炭化ケイ素焼結体を機械加工する。次いで機械加工された多孔質炭化ケイ素焼結体から、パラフィンろうまたは水を除去する。氷で開気孔を塞ぐ場合、冷凍加工機によって機械加工を行なう。この方法により、気孔率が10%〜60%であり、半導体製造に有害な元素の含有量が1ppm以下である高純度の多孔質炭化ケイ素焼結体が得られる。

請求項（抜粋）：

機械加工された多孔質炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、炭化ケイ素粉末を焼結してなる、開気孔を有する多孔質炭化ケイ素焼結体に、ろう、有機ポリマー、水、油脂、ワセリンおよびゲル化剤からなる群から選択される少なくとも1つの材料の液体、溶融物、分散液または溶液を含浸させた後、固化させる工程と、前記固化されたものによって前記開気孔が塞がれた多孔質炭化ケイ素焼結体を機械加工する工程と、機械加工された前記多孔質炭化ケイ素焼結体から、前記固化されたものを除去する工程とを備えることを特徴とする、多孔質炭化ケイ素焼結体の製造方法。

IPC (2件)：

C04B 38/00 304 ,  C04B 38/00 303

FI (2件)：

C04B 38/00 304 Z ,  C04B 38/00 303 Z