特許

J-GLOBAL ID：200903067048612515

半導体装置

発明者： 田村 清一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-098500
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293494
出願日： 1995年04月24日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】 高い比誘電率、低誘電損失、低リーク電流という優れた特性をもつタンタル酸化膜を得る。【構成】 窒化タンタル膜を酸化することで得られたタンタル酸化膜TaOx(x=2.5±0.1)を絶縁膜102とする。

請求項（抜粋）：

窒化タンタル膜を酸化することで得られたタンタル酸化膜を絶縁膜とすることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/316 T ,  H01L 21/316 A ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 301 G