特許
J-GLOBAL ID：200903067049690943
日射センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-270285
公開番号（公開出願番号）：特開平7-120315
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】 各部の位置決め精度の向上と量産性向上を図る。【構成】 n-形のエピタキシャル層12の上面に、左右2つのpn接合部13L,13R(p+層)を形成し、その上方に酸化絶縁膜14(SiO2膜)を介して電極15L,15Rを形成し、アルミニウム配線する。更に、Si基板12の上面の中央には、両pn接合部13L,13Rの中間に位置して、柱状の遮光突部16を一体に形成する。この遮光突部16は、エピタキシャル層12の上面のp形Si基板をフォトエッチングして形成したものである。この場合、フォトダイオード素子11の上面に入射する日射光が遮光突部16によって部分的に遮られることで、フォトダイオード素子11の上面に当たる光照射領域が日射方向(日射方位又は日射高度)に応じて変化し、それに応じて左右のpn接合部13L,13Rの出力信号が変化してその大小関係により日射方向を判定することができる。
請求項（抜粋）：
日射光をフォトダイオード素子で検出するようにした日射センサにおいて、前記フォトダイオード素子に受光部を形成すると共に、前記フォトダイオード素子の上面に、入射光を部分的に遮る遮光突部を前記受光部と所定の位置関係で設けたことを特徴とする日射センサ。
IPC (3件)：
G01J 1/02
, G01J 1/42
, G01W 1/12
