特許
J-GLOBAL ID：200903067051831864
化合物半導体単結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-170379
公開番号（公開出願番号）：特開平11-012087
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月19日
要約：
【要約】【課題】 炉内から排気されるガス中のCO濃度及び水素濃度を、封止剤中の水分が一定となるような所定の値に一定にすることにより、単結晶成長に伴う封止剤中の水分の低下を防止し、それによって結晶中のC濃度が均一な長尺の化合物半導体単結晶を得るとともに、結晶中のホウ素濃度の上昇を防ぐ。【解決手段】 LEC法によりGaAs等の化合物半導体単結晶を製造するにあたり、炉内から排気されるガス中のCO濃度及び水素濃度を、封止剤中の水分が一定となるような所定の値に一定に保ちながら、結晶の引上げを行う。
請求項（抜粋）：
るつぼ内に原料および封止剤を入れて高圧引上げ炉内に配置し、発熱体により加熱して前記原料及び封止剤を融解させ、その原料融液表面を封止剤で覆った状態で種結晶を接触させてこれを徐々に引き上げることにより化合物半導体単結晶を製造するにあたり、炉内から排気されるガス中のCO濃度及び水素濃度を、封止剤中の水分が一定となるような所定の値に一定に保ちながら、結晶の引上げを行うことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 27/02
, C30B 29/42
, H01L 21/208
C30B 27/02
, C30B 29/42
, H01L 21/208 P
