特許
J-GLOBAL ID：200903067053579020
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-185235
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031989
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体基板の抗折強度を向上させ、また基板裏面と樹脂封止体との密着性を向上させた樹脂封止型半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板1のボンディングパッドはリード3の樹脂封止側の先端のインナリード31部分に向合い、両者はボンディングワイヤ4により電気的に接続される。インナリード31は樹脂封止体5の外部に突出したアウタリード32に一体に接続される。樹脂封止体5は基板搭載部2とそれに載置固定された基板1、及びインナリード31、ボンディングワイヤ4を封止する。実装時の加熱により樹脂封止体に応力が発生しクラックを生じるので、基板搭載部の一部に開口21を形成し応力を分散させクラック発生を防いだ。基板1の裏面Bは直接樹脂封止体と接するので、硫酸+弗酸/硝酸からなるエッチング液を用い、バブリング処理により微細凹凸を形成してその密着性を向上させた。
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成されている第1の主面と、バブリング処理によって粗面化されている第2の主面とを有する半導体基板と、前記半導体基板に形成された前記半導体素子と外部回路とを接続する複数のリードと、前記半導体基板及び前記リードの一部を被覆する樹脂封止体とを備え、前記半導体基板の第2の主面には、研削によって形成された破砕層を硫酸、硝酸、弗酸を含むバブリング処理液で取り除いてから、このバブリング処理液から発生する気泡の存在下でエッチング処理した微細な凹凸が形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/28
, H01L 21/56
, H01L 23/50
