特許
J-GLOBAL ID：200903067054125014
過電流検出回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-161744
公開番号（公開出願番号）：特開平10-014099
出願日： 1996年06月21日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 任意の過電流検出値を設定でき、かつ、製造上の特性ばらつきの影響を低減できる過電流検出回路を提供することにある。【解決手段】 負荷電流の変化によって変化するパワーMOSトランジスタのドレインソース間電圧に等しいような電圧降下を、パワーMOSトランジスタとゲートおよびドレインを共通接続した検出用MOSトランジスタを通じる電流により、検出用MOSトランジスタソースとパワーMOSトランジスタソースとの間に接続された検出用抵抗に発生させる。この電圧はオフセット付比較器に入力されて、設定された入力オフセット電圧値を超過したとき、比較器はパワーMOSトランジスタを過電流状態にあるものと判定する。
請求項（抜粋）：
ドレインを電源に接続して、ソースより負荷に電力を供給するパワーMOSトランジスタの過電流状態を検出するための半導体装置における過電流検出回路であって、ドレインおよびゲートを、パワーMOSトランジスタ(2)のドレインおよびゲートにそれぞれ接続された、パワーMOSトランジスタ(2)を流れる過電流の検出用MOSトランジスタ(3)と、検出用MOSトランジスタ(3)のソースとパワーMOSトランジスタ(2)のソースとの間に接続され、検出用MOSトランジスタ(3)のオン抵抗値よりも十分に大きい抵抗値を有する検出用抵抗(5)と、2個の入力端子を検出用抵抗(5)の両端子にそれぞれ接続され、該入力端子より、検出用抵抗(5)を流れる検出電流による電圧降下値を入力して、該電圧降下値が内部に設定された入力オフセット電圧値を超えたとき、過電流検出信号を出力するオフセット付比較器(6)と、よりなる過電流検出回路。
IPC (7件)：
H02H 7/20
, G01R 31/02
, G05F 1/10 301
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H02H 3/087
, H03F 1/52
H02H 7/20 D
, G01R 31/02
, G05F 1/10 301 B
, H02H 3/087
, H03F 1/52
, H01L 27/08 102 F
