特許
J-GLOBAL ID：200903067057112134
半導体装置の取り外し方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-291262
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129380
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 フリップチップボンディング法で配線基板に取り付けた半導体装置の取り外し方法において、半導体装置を剥離した後の配線基板の各導体端子に均一な薄い半田層を残す。【構成】 半導体装置1と配線基板3の間の空間に、半田バンプ2を包み込むように、硬化時のヤング率が半田バンプ2のヤング率よりも大きなテフロン系樹脂4を満たし、次に、上記樹脂4を硬化させ、次に、樹脂4と半導体装置1を配線基板3から剥離する。樹脂4で包まれた半田バンプ2は、導体端子5との界面付近で破断する。導体端子5に薄い半田層6が残る。
請求項（抜粋）：
配線基板の導体端子に半導体装置の半田の突起電極を溶接した状態で、少なくとも上記半導体装置と配線基板の間の空間に、上記突起電極を包み込むように、硬化時のヤング率が上記半田の突起電極のヤング率よりも大きな樹脂を満たし、次に、上記樹脂を硬化させ、次に、上記配線基板の破壊強度および上記樹脂の破壊強度よりも小さな外力によって、上記樹脂と半導体装置を上記配線基板から剥離することを特徴とする半導体装置の取り外し方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 321
, H01L 21/46
