特許

J-GLOBAL ID：200903067058535381

デュアルダマシン配線形成方法

発明者： キム,キル・ホ
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-168322
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060035
出願日： 2002年06月10日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 微細なパターンを形成することができ、ポリマーの発生を最小化できるデュアルダマシン配線形成方法の提供。【解決手段】 絶縁層32内に形成された下部金属配線33を有する半導体基板31上に拡散防止膜34、層間絶縁膜35、ハードマスク物質層36を順次形成する段階、感光膜パターンを用いて層間絶縁膜35の第1領域上のハードマスク物質層を選択的に除去する段階、全面にハードマスク物質層を更に堆積させ,第1領域を含む層間絶縁膜の第2領域上にあるハードマスク物質層を選択的に除去してトレンチ形状とビアホール形状の二重構造のパターンを有するハードマスクを形成する段階、前記ハードマスクを用いて露出された第1領域の層間絶縁膜を一定の深さにエッチングした後、第2領域上のハードマスクを選択的に除去する段階、露出された層間絶縁膜をエッチングして、ビアホールと該ビアホールの上側にトレンチを同時に形成する段階とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁層内に形成された下部金属配線を有する半導体基板上に拡散防止膜、層間絶縁膜、ハードマスク物質層を順次形成するステップ;感光膜パターンを用いて層間絶縁膜の第1領域上のハードマスク物質層を選択的に除去するステップ;全面にハードマスク物質層を更に堆積させ、前記第1領域を含む層間絶縁膜の第2領域上にあるハードマスク物質層を選択的に除去してトレンチ形状とビアホール形状の二重構造のパターンを有するハードマスクを形成するステップ;前記ハードマスクを用いて露出された第1領域の層間絶縁膜を一定の深さにエッチングした後、第2領域上のハードマスクを選択的に除去するステップ;露出された層間絶縁膜をエッチングしてビアホールと前記ビアホールの上側に形成されるトレンチを同時に形成するステップ;とを含むことを特徴とするデュアルダマシン配線形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 105 A