特許

J-GLOBAL ID：200903067062676798

化学修飾半導体電極、並びに、その製造方法及びそれを用いた光電池

発明者： 山口 康浩 ,  高田 北斗
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-163486
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345124
出願日： 2000年05月31日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】 光電特性、耐久性、安全性、製造性等に優れた化学修飾半導体電極、並びに、その製造方法及びそれを用いた光電池を提供すること。【解決手段】 膜厚方向に対して異方的に配列された柱状半導体群と、個々の柱状半導体相互の間隙により形成される前記柱状半導体の長手方向に連続的に延びる細孔と、から構成される片多空質半導体電極層又は両多空質半導体電極層を有し、且つ該柱状半導体群表面の一部又は全部に、機能性化合物が担持されてなることを特徴とする化学修飾半導体電極、並びに、その製造方法及びそれを用いた光電池である。

請求項（抜粋）：

膜厚方向に対して異方的に配列された柱状半導体群と、個々の柱状半導体相互の間隙により形成される前記柱状半導体の長手方向に連続的に延びる細孔と、から構成される片多空質半導体電極層又は両多空質半導体電極層を有し、且つ該柱状半導体群表面の一部又は全部に、機能性化合物が担持されてなることを特徴とする化学修飾半導体電極。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (12件)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB07 ,  5H032BB10 ,  5H032CC11 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18 ,  5H032EE20 ,  5H032HH00