特許
J-GLOBAL ID：200903067062723400
X線露光用マスク及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-010826
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206012
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【構成】 シリコン基板1上にメンブレン2を成膜(図1(a))した後、サポートリング3表面にNa+を添加したSiO2層6を成膜し(図1(b))、高温雰囲気でシリコン基板1とNa+添加SiO2層6とを接触させ、それらに電圧を印加してシリコン基板1とNa+添加SiO2層6との界面にSiO2膜7を形成する(図1(c))。このようにして、シリコン基板1とサポートリング3とが接合される。【効果】 サポートリングの材質に強度の高いセラミックを用い陽極接合方法によりサポートリングとシリコン基板とが強固に接合されるので、長期信頼性が確保されると共にX線吸収層パターンの位置精度を高めることができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板及びその支持体と、前記シリコン基板上に形成されたX線透過膜と、このX線透過膜上に形成されたX線吸収層パターンとを基本構成要素とするX線露光用マスクにおいて、前記シリコン基板と前記支持体との間に易イオン化物を添加した二酸化シリコン層を備えたことを特徴とするX線露光用マスク。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
