特許
J-GLOBAL ID：200903067093386402
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 浩 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109289
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283555
出願日： 1992年04月01日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置において熱膨張係数の異なる材料からなる金属基板と絶縁層の半田接合を改良して絶縁層の割れを防ぐ。【構成】 熱膨張係数の異なる材料からなる金属基板1と絶縁層2を半田接合するに際し、半田層を3a、3bの2層とし、この2層の半田層3a、3bの間に0.5mm厚以下の金属薄板5を介在させて接合するようにした。
請求項（抜粋）：
熱膨張係数の異なる材料からなる金属基板と絶縁層を半田層を介して接合し、上記絶縁層上に半導体チップを搭載した半導体装置において、上記半田層を2層とし、この2層の半田層の間に0.5mm厚以下の金属薄板を介在させたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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