特許
J-GLOBAL ID：200903067100432563

半導体装置及びその製造方法

発明者：
小林 源臣

小林 源臣 について

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野崎 秀樹

野崎 秀樹 について

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土谷 政信

土谷 政信 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-280786
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098529
出願日： 2006年10月13日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【課題】裏面側のチッピングや、ウェーハの反りを抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1の主面と、第1の主面の反対側に設けられた第2の主面と、第1の主面側の表層部に設けられたチャネル形成領域と、を有する半導体層と、半導体層の第1の主面上におけるダイシングストリートより内側に設けられた第1の主電極と、半導体層の第2の主面上におけるダイシングストリートより内側に設けられた第2の主電極と、絶縁膜を介してチャネル形成領域に対向する制御電極と、を備えた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の主面と、前記第1の主面の反対側に設けられた第2の主面と、前記第1の主面側の表層部に設けられたチャネル形成領域と、を有する半導体層と、 前記半導体層の前記第1の主面上におけるダイシングストリートより内側に設けられた第1の主電極と、 前記半導体層の前記第2の主面上におけるダイシングストリートより内側に設けられた第2の主電極と、 絶縁膜を介して前記チャネル形成領域に対向する制御電極と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/301
FI (7件)：
H01L29/78 658F ,  H01L21/288 E ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 655Z ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652L ,  H01L21/78 L
Fターム (8件)：
4M104BB02 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD63 ,  4M104DD83 ,  4M104FF13 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体素子の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-237610   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
審査官引用 (3件)

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