特許

J-GLOBAL ID：200903067101011286

薄膜EL素子

発明者： 山田 羊治
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-024628
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235381
出願日： 1994年02月23日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】輝度・製品寿命を向上し、絶縁破壊が少なく、CRTと同等の白色発光が得られる薄膜EL素子を得る。【構成】耐熱基板1上に金属電極2、第1絶縁層3、発光層4を順次積層し、発光層4を第2絶縁層5で被覆しその上に透明電極6を形成してなる薄膜EL素子において、前記金属電極2は少なくとも2層からなり耐熱基板1上に形成する第1金属電極2aの反射率は60%以下であり、第1金属電極2aの上に形成する第2金属電極2bの反射率は60ないし85%以上であることとする。

請求項（抜粋）：

耐熱基板上に金属電極、第1絶縁層、発光層を順次積層し、発光層を第2絶縁層で被覆しその上に透明電極を形成してなる薄膜EL素子において、前記金属電極は少なくとも2層からなり耐熱基板上に形成する第1金属電極の反射率は60%以下であり、第1金属電極の上に形成する第2金属電極の反射率は60ないし85%以上であることを特徴とする薄膜EL素子。