特許
J-GLOBAL ID：200903067101183583
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-336966
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201840
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】本発明は、バッファロコス法により半導体基板上に酸化膜を形成する方法に関し、酸化膜の異常形成を防止するとともに、酸化膜形成領域からのバーズビークの広がりを抑制する。【構成】半導体基板21上に多結晶又は非晶質のシリコン膜23を形成する工程と、シリコン膜23を弗酸系の媒体に曝す工程と、シリコン膜23上に酸化防止膜24を形成する工程と、酸化防止膜24をパターニングする工程と、酸化防止膜24をマスクとしてシリコン膜23及び半導体基板21を選択的に酸化する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜を弗酸系の媒体に曝す工程と、前記シリコン膜上に耐酸化性膜を形成する工程と、前記耐酸化性膜をパターニングする工程と、前記耐酸化性膜をマスクとして前記シリコン膜及び半導体基板を選択的に酸化する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/94 A
, H01L 21/76 M
