半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-331669
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173584
出願日： 2005年11月16日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】SiCの高耐圧半導体装置において、超低オン抵抗の優れた性能を得るとともに、ゲート絶縁膜の長期信頼性も大幅に向上させる。【解決手段】半導体装置は、炭化珪素基板と、その第1の主面に設けられた第1導電型の炭化珪素層と、炭化珪素層の表面に設けられた第2導電型の第1の炭化珪素領域と、第1の炭化珪素領域内の表面に設けられ、窒素が添加された第1のサブ領域と、これと接するように前記表面に設けられ、燐が添加された第2のサブ領域とを含む第2の炭化珪素領域と、前記第1の主面において炭化珪素層、第1の炭化珪素領域、及び第2の炭化珪素領域の第1のサブ領域に跨るように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、第2の炭化珪素領域の第2のサブ領域と第1の炭化珪素領域上に形成された第1の電極と、炭化珪素基板の第2の主面に形成された第2の電極とを具備する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1と第2の主面を有する炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板の前記第1の主面に設けられた第1導電型の炭化珪素層と、前記炭化珪素層の表面に設けられた第2導電型の第1の炭化珪素領域と、前記第1の炭化珪素領域内の表面に設けられ、窒素が添加された第1のサブ領域と、これと接するように前記表面に設けられ、燐が添加された第2のサブ領域とを含む第1導電型の第2の炭化珪素領域と、前記炭化珪素層、前記第1の炭化珪素領域、及び前記第2の炭化珪素領域の前記第1のサブ領域に跨るように設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記第2の炭化珪素領域の前記第2のサブ領域及び前記第1の炭化珪素領域上に形成された第1の電極と、前記炭化珪素基板の前記第2の主面に形成された第2の電極とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 29/739

FI (7件)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 652B , H01L29/78 653A , H01L29/78 655B , H01L29/78 655A , H01L29/78 301B , H01L29/78 301D

Fターム (29件)：

5F140AA25 , 5F140AC21 , 5F140AC23 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BB15 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BD18 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF44 , 5F140BG28 , 5F140BG38 , 5F140BG49 , 5F140BH13 , 5F140BH14 , 5F140BH17 , 5F140BH21 , 5F140BH30 , 5F140BH47 , 5F140BH49 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK33 , 5F140CE02

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-215432 出願人：日産自動車株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-072422 出願人：株式会社東芝
絶縁ゲート型炭化ケイ素サイリスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-061506 出願人：富士電機株式会社

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