特許

J-GLOBAL ID：200903067113613940

リソグラフィプロセスを含むデバイス作製

発明者： スチーヴン デー.バーガー ,  ジョン マレイ ギブソン
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-173510
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216011
出願日： 1993年07月14日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 ミクロン及びサブミクロン最小パターン寸法のデバイス作製が、後焦平面フィルタを含むリソグラフィプロセスにより、実現される。【構成】 特に重要な作製方式は、加速電子による散乱及び非散乱放射間の区別に基づき像を生成するマスクパターンに依存する。そのようなマスクを使用することは、走査システムに適用すると価値があり、光学軸を走査する情報を含んだビームと一致させて保つよう、対物レンズの物理的な収差又は電界整形により、収差を動的に補正する。

請求項（抜粋）：

リソグラフィ描画工程を含む少なくとも1つの作製工程が含まれ、前記描画工程は電界規定レンズを含むレンズシステムを使用し、前記作製工程中、パターン像を選択的に生成させる目的で、作製中のデバイスを含む基体上に、パターン形成された像を生成させるため、パターン形成された電子放射の投影を含み、マスクは電子で照射し、前記パターン形成された放射を透過させ、前記パターン形成された放射の透過経路は、そのようなレンズシステムの後焦平面上又はいくつかの共役平面上に配置されると定義される“後焦平面フィルタ”を含み、前記フィルタは2つの形のフィルタ領域を含み、その第1のものは第2のものより、前記パターン形成された放射に対してより透明で、そのため第1のフィルタ領域/複数の領域は、前記フィルタの通過部分を規定し、前記フィルタは前記マスクにより生じた散乱の程度に依存して、前記パターン形成された放射の一部の透過を阻止する働きをし、そのようなリソグラフィ描画工程はそれ自身、複数の描画プロセスを含み、それによって基体上のパターン形成された像は複数の部分像を含むデバイスの作製方法において、電界規定レンズの形は、異なる部分像に対して、その光学軸の位置を変えるために変えられることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01J 37/305

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-101214
  
• 特開昭60-010721
  
• 特開平3-101214
  
• 特開昭60-010721