特許

J-GLOBAL ID：200903067114332367

半導体装置とその製造方法

発明者： 堀田 幸司
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-082692
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274399
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 蓄熱が少なく安定な動作を行える半導体装置を提供すること。【解決手段】 IGBTが行列状に配置された半導体装置100における中央部のIGBTのトレンチ62を周辺部のIGBTのトレンチより浅く形成する。中央部のIGBTではトレンチ62が浅いため、周辺部のIGBTより第二導電型低濃度ドリフト領域54のゲート絶縁膜64に沿う部分に蓄積する多数キャリアの量が少なくなり、中央部の領域へのコレクタ電極からの少数キャリアの量も少なくなる。従って、中央部のIGBT40,42,44のオン抵抗は周辺部のIGBTより高くなる。この結果、半導体装置100の中央部の領域は周辺部の領域と比較すると電流密度が低くなり、中央部の領域の温度上昇を小さくし、蓄熱を緩和することができる。

請求項（抜粋）：

ゲート電極を有する半導体素子が複数配置されたゲート電極型の半導体装置であって、前記複数の半導体素子のうち周辺部より内側に配置された少なくとも一つの半導体素子を、前記複数の半導体素子のうち周辺部に配置された半導体素子のオン抵抗より高くなるように形成してなる半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 655 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/744 ,  H01L 29/74

FI (5件)：

H01L 29/78 655 G ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 X

Fターム (5件)：

5F005AD02 ,  5F005AE07 ,  5F005AF02 ,  5F005BA02 ,  5F005BB02