ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-163573
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016885
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】マイクロローディング効果を抑えながら、アスペクト比の高い微細トレンチの高速異方性ドライエッチングを行う。【解決手段】 Si基板1に対してある程度の化学反応性を持つハロゲン系化学種と、Arよりも質量の大きい不活性ガスのイオンとを生成可能なエッチング・ガス、すなわちCl2 /Xe混合ガスやSF6 /Kr混合ガスを使用する。Cl* やF* によるラジカル反応がXe+ やKr+ 等の重イオンの入射エネルギーにアシストされる機構で高速エッチングが進行し、異方性形状を有するディープ・トレンチ4が形成される。S2 Cl2 ガスを用いれば、プラズマ中に放出されたイオウSをトレンチ内に堆積させて側壁保護に利用することができるので、イオン入射エネルギーを低下させても良好な異方性形状を維持できる。

請求項（抜粋）：

放電解離条件下でKr,Xe,Rnから選ばれる少なくとも1種類の不活性ガス系化学種とハロゲン系化学種とを生成し得るエッチングガスを用いてシリコン系材料層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

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