特許
J-GLOBAL ID：200903067118375982
酸化物超電導膜の形成方法及び酸化物超電導部材
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小島 清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-057445
公開番号（公開出願番号）：特開平6-009296
出願日： 1992年02月11日
公開日（公表日）： 1994年01月18日
要約：
【要約】【目的】 容易に且つ任意の場所に一定方向に制御され、特にc軸が基板に平行な配向の場合デバイス作製に有利な平滑表面をもつ酸化物超電導膜を形成する。【構成】 気化した有機金属原料を所定の金属組成となるように混合し又は該有機金属原料を所定の金属組成となるように混合しこの混合原料を気化させ、これらを加熱された基板上に接触させて、化学的気相成長法により該基板上にY-Ba-Cu-O系等の酸化物超電導膜を形成する方法において、前記基板上に前記酸化物超電導膜を形成する最中に該基板上にレーザ光、特に紫外光を照射して、非照射部のマトリックス中に、結晶配向方向がc軸が基板に平行な配向(例えばa軸配向)であり且つ14000倍に拡大した電子顕微鏡写真において凹凸が認められない程度に平滑な表面を有する酸化物超電導膜からなる照射部を形成させる。
請求項（抜粋）：
気化した有機金属原料を所定の金属組成となるように混合し又は該有機金属原料を所定の金属組成となるように混合しこの混合原料を気化させ、これらを加熱された基板上に接触させて、化学的気相成長法により該基板上に酸化物超電導膜を形成する方法において、前記基板上に前記酸化物超電導膜を形成する最中に該基板上にレーザ光を照射して該照射部に形成される該酸化物超電導膜の結晶配向方向を一定方向に制御することを特徴とする酸化物超電導膜の形成方法。
IPC (8件)：
C30B 29/22 501
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
, C04B 35/00 ZAA
, C30B 25/02 ZAA
, H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24 ZAA
